首页  ꄲ  化合物半导体衬底和外延检测设备  ꄲ  E3500 SiC 缺陷检测设备

当前位置：

产品中心

  • H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

    图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术，能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点，以提高芯片生产的良率。

    넶621 ¥ 0.00

  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。

    넶6092 ¥ 0.00

  • F2000 集成电路前道晶圆缺陷检测设备

    晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLA SP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和IC Fab中各种前端工艺节点的检测，以提高芯片生产的良率。

    넶3245 ¥ 0.00

  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石，砷化镓，钽酸锂，石英玻璃，磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）等缺陷，最小可检测缺陷81nm；支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶2608 ¥ 0.00

  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用，可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷，最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶2228 ¥ 0.00

E3500 SiC 缺陷检测设备

E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4@、6@、8@晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。
企业微信20240304-113726
넳 넲

 

 

 

 

适应晶圆尺寸 Wafer Size

 

 

 

 

 

 

 

 

Size: 4", 6", 8" compatible;
标配 2 cassettes; other sizes upon requests
Thickness:350um~1500um(其它厚度需要测试)

 

 

 

 

 

 

 

 

缺陷类别及检测能力 Defect Inspection Capability

 

 

 

 

 

 

 

 

SiC Substrate衬底：Particle、Scratch、pit、bump、stain、Micro Pipe、KOH Etch Mapping、SF

SiC Epi：Particle、Scratch、pit、bump、Carrot&Surface Triangle、Downfall、KOH Etch Mapping、SF，BPD

*pit和bump能识别0.18um