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  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

    2129 ¥ 0.00
  • F1000晶圆表面颗粒检测设备

    F1000是专门的颗粒检测设备,可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒(Si基PSL wafer)。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。


    1260 ¥ 0.00
  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    1006 ¥ 0.00
  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    830 ¥ 0.00
  • MOCVD 在线监测系统系列产品

    MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度,反射率和翘曲度,并提供可靠的温度信号用于控温,适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测(viperRTC)、表面温度测量(viper405)、温度校准单元(Calibration Unit)、温场扫描系统(Scanpyro)等产品

    609 ¥ 0.00

E3500 SiC 缺陷检测设备

E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4@、6@、8@晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。
eagle

适应晶圆尺寸 Wafer Size

Size: 4", 6", 8" compatible;
标配 2 cassettes; other sizes upon requests
Thickness:350um~1500um(其它厚度需要测试)

缺陷类别及检测能力 Defect Inspection Capability

SiC Substrate衬底:Particle、Scratch、pit、bump、stain、Micro Pipe、KOH Etch Mapping、SF

SiC Epi:Particle、Scratch、pit、bump、Carrot&Surface Triangle、Downfall、KOH Etch Mapping、SF,BPD

*pit和bump能识别0.18um