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  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。

    넶2129 ¥ 0.00

  • F1000晶圆表面颗粒检测设备

    F1000是专门的颗粒检测设备，可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒（Si基PSL wafer）。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。


    넶1260 ¥ 0.00

  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石，砷化镓，钽酸锂，石英玻璃，磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）等缺陷，最小可检测缺陷81nm；支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶1006 ¥ 0.00

  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用，可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷，最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶830 ¥ 0.00

  • MOCVD 在线监测系统系列产品

    MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度，反射率和翘曲度，并提供可靠的温度信号用于控温，适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测（viperRTC）、表面温度测量（viper405）、温度校准单元（Calibration Unit）、温场扫描系统（Scanpyro）等产品

    넶609 ¥ 0.00

E3500 SiC 缺陷检测设备

E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4@、6@、8@晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。
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适应晶圆尺寸 Wafer Size

Size: 4", 6", 8" compatible;
标配 2 cassettes; other sizes upon requests
Thickness:350um~1500um(其它厚度需要测试)

缺陷类别及检测能力 Defect Inspection Capability

SiC Substrate衬底：Particle、Scratch、pit、bump、stain、Micro Pipe、KOH Etch Mapping、SF

SiC Epi：Particle、Scratch、pit、bump、Carrot&Surface Triangle、Downfall、KOH Etch Mapping、SF，BPD

*pit和bump能识别0.18um