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  • H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

    图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术,能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点,以提高芯片生产的良率。

    2480 ¥ 0.00
  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

    4544 ¥ 0.00
  • F2000 集成电路前道晶圆缺陷检测设备

    晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLA SP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和IC Fab中各种前端工艺节点的检测,以提高芯片生产的良率。

    2481 ¥ 0.00
  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    1942 ¥ 0.00
  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    1640 ¥ 0.00

MOCVD在线监测系统 viperRTC–LSS

viperRTC–LSS (Low Speed Single point curvature) MOCVD在线监测系统,用于慢转速,多片行星式MOCVD设备,实现对工艺反射率(R),温度(T)和翘曲度(C)的实时监测。测温信号,可用于闭环温度控制。
MOCVD在线监测系统

l 适用于Aixtron Gx  每小盘多片行星式MOCVD系统 

l 测温波长:940nm ü测量反射率波长:940nm, 633nm 或定制

l 测量曲率波长:405nm激光

l 曲率测量传感器:PSD

l 测温范围宽:450度~1450度 

l 测量准确度:±1度,重复性精度 <0.5度 

l 一个温度反射率测量通道,1个曲率测量通道(可配置多通道) 

l 单点RTC探头,同时测量温度,反射率和曲率

l 独有算法,可实现行星式多片wafer的曲率测量