产品中心
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E3500 SiC 缺陷检测设备
E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。
넶2129 ¥ 0.00 -
F1000晶圆表面颗粒检测设备
F1000是专门的颗粒检测设备,可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒(Si基PSL wafer)。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。
넶1260 ¥ 0.00 -
E1000 化合物半导体缺陷检测设备
Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。
넶1006 ¥ 0.00 -
E3200 GaN缺陷检测设备
E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。
넶830 ¥ 0.00 -
MOCVD 在线监测系统系列产品
MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度,反射率和翘曲度,并提供可靠的温度信号用于控温,适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测(viperRTC)、表面温度测量(viper405)、温度校准单元(Calibration Unit)、温场扫描系统(Scanpyro)等产品
넶609 ¥ 0.00
F300-EPI GaAs
l 适用于GaAs EPI外延片
l 具备AOI、OCR等功能
l 兼容4 inch和6 inch晶圆
l 自研光学镜头: FOV ~15.6mm
l 缺陷检测空间分辨率:1.3μm x 1.3μm
l Review复查分辨率: 0.19μm x 0.19μm
l 缺陷检出率 ≥ 98%
l 缺陷误检率 ≤ 2%
l 缺陷重复性 > 95%
l 镭刻码OCR识别率 ≥ 99.9%(选配)
l 4 inch缺陷产能 ≥ 100片/小时
l 6 inch缺陷产能 ≥ 70片/小时
l 具备12个分规料盒(Cassette)
l 具备非接触Aligner功能
l 具备自动聚焦功能,可以适应翘曲wafer
l 深度学习识别缺陷类别(准确率>98%):掉点,水点,划伤,暗线,翘脚,红斑,白斑,雾状等缺陷
l 支持SEMI自动化标准SECS/GEM通讯接口
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