F300-EPI GaN
GaN外延片AOI设备采用了自研光学镜头，并且集成了自动聚焦功能，可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像，具有检出率高、误检率低的特点，使用20X点测功能可以采集到更高解析度的缺陷图像（0.1-02μm）；荧光激发AOI检测可以检测长晶层的发光缺陷。
l 适用于蓝宝石基，Si基和SiC基GaN EPI外延片
l 具备AOI、紫外荧光(选配）、缺陷review、 OCR等功能
l 兼容4 inch和6 inch晶圆或者8inch晶圆（采用EFEM）
l 自研光学镜头： FOV ~15.6mm
l 缺陷检测空间分辨率：1.3μm x 1.3μm
l Review复查分辨率： 0.19μm x 0.19μm
l 缺陷检出率 ≥ 98%
l 缺陷误检率 ≤ 2%
l 缺陷重复性 > 95%
l 镭刻码OCR识别率 ≥ 99.9%（选配）
l 4 inch缺陷产能 ≥130片/小时
l 6 inch缺陷产能 ≥ 80片/小时
l 具备6个分规料盒（Cassette）
l 具备非接触Aligner功能
l 具备自动聚焦功能，可以适应翘曲wafer
l 具备定点自动Review并且采图功能
l 深度学习识别缺陷类别（准确率>98%）：亮点、颗粒、圆圈、雾边、刮伤、脏污、微粗等缺陷
l 支持SEMI自动化标准SECS/GEM通讯接口
