首页    化合物半导体衬底和外延检测设备    E1000 化合物半导体缺陷检测设备

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  • H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

    图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术,能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点,以提高芯片生产的良率。

    2480 ¥ 0.00
  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

    4544 ¥ 0.00
  • F2000 集成电路前道晶圆缺陷检测设备

    晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLA SP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和IC Fab中各种前端工艺节点的检测,以提高芯片生产的良率。

    2481 ¥ 0.00
  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    1942 ¥ 0.00
  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    1640 ¥ 0.00

E1000 化合物半导体缺陷检测设备

Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4@、6@、8@晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。
企业微信20240304-113726

适应晶圆尺寸Wafer Size

l Size: 4", 6", 8" compatible; 标配4 cassettes; other size upon request

l Thickness: 350um~1500um(其它厚度需要测试)

缺陷类别及检测能力Defect Inspection Capability

Defects

Materials

颗粒particle

Si, GaAs, InP

Sapphire, Glass, LiTaO3

PSS

凹坑pit

Sapphire, GaAs, InP, Glass, LiTaO3

凸起bump

Sapphire, GaAs, InP, Glass, LiTaO3

划伤scratch

Sapphire, GaAs, InP, Glass, LiTaO3

污点stain

Si, Sapphire, GaAs, InP, Glass, LiTaO3

裂纹Cracks

Si

 

 

E1000(BF)检测视图