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  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。

    넶2129 ¥ 0.00

  • F1000晶圆表面颗粒检测设备

    F1000是专门的颗粒检测设备，可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒（Si基PSL wafer）。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。


    넶1260 ¥ 0.00

  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石，砷化镓，钽酸锂，石英玻璃，磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）等缺陷，最小可检测缺陷81nm；支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶1006 ¥ 0.00

  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用，可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷，最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶830 ¥ 0.00

  • MOCVD 在线监测系统系列产品

    MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度，反射率和翘曲度，并提供可靠的温度信号用于控温，适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测（viperRTC）、表面温度测量（viper405）、温度校准单元（Calibration Unit）、温场扫描系统（Scanpyro）等产品

    넶609 ¥ 0.00

高精度温度校准单元 Cal-2

@Cal-2 可以用于MOCVD设备不开腔温度校准。
cal2-1.
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主要技术指标

l 系统由Cal-2集成探头，BNC信号线，24位高精度DAQ单元，USB线连接Laptop构成

l 集成探头则由探测光路，接收PD, 信号放大电路，温度漂移抑制电路，环境温度监测显示电路，锂聚合物电池，充电电路构成 ü探测口径仅4mm，可应用于各种尺寸Viewport 

l 测温范围可定制。量产两种500~1200 °C，650~1750°C

l 稳定性：< 0.05℃

l 重复性：<0.1 °C 

l 体积小：150 x 40 x40mm