首页  ꄲ  集成电路检测设备  ꄲ  H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

当前位置：

产品中心

  • H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

    图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术，能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点，以提高芯片生产的良率。

    넶621 ¥ 0.00

  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。

    넶6092 ¥ 0.00

  • F2000 集成电路前道晶圆缺陷检测设备

    晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLA SP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和IC Fab中各种前端工艺节点的检测，以提高芯片生产的良率。

    넶3245 ¥ 0.00

  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石，砷化镓，钽酸锂，石英玻璃，磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）等缺陷，最小可检测缺陷81nm；支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶2608 ¥ 0.00

  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用，可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷，最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    넶2228 ¥ 0.00

H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术，能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点，以提高芯片生产的良率。
企业微信20240304-113802
넳 넲

 设备描述 Features 

晶圆搬运

EFEM: 6” / 8” SMIF or 12” FOUP

适用晶圆

Si/GaN/SiC

晶圆翘曲

不大于200um

晶圆厚度

350um~1.5mm（在晶圆底部打开并夹持）

照明系统

明场和斜入射暗场

图形化晶圆颗粒检测灵敏度

150nm

非图形化晶圆颗粒检测灵敏度

80nm

检测缺陷分类

Particle, scratch, pit, bump, Haze map

工艺节点

90,130nm

 

 

 可用选配项 Options Available 

 

  • /OCR：OCR，识别率≥99%（符合SEMI字体标准，刻字不清晰除外）
  • /IV：离线图像查看软件，可用于离线分析
  • /SG：SECS-GEM，支持SEMI自动化标准SECS/GEM通信接口，符合SEMI E5-（SECS-II）、SEMI E30-（GEM）、SEMI E37-（HSMS）通信标准，并保留其他通信协议接口
  • /PSL：PSL Si标准片

  • /PL: 对于SIC可增加PL检测通道