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  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

    41 ¥ 0.00
  • F1000晶圆表面颗粒检测设备

    F1000是专门的颗粒检测设备,可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒(Si基PSL wafer)。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。


    16 ¥ 0.00
  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    17 ¥ 0.00
  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    17 ¥ 0.00
  • SPI300 晶圆形貌测量与分选设备

    SPI300 晶圆形貌测量设备是一款专门测量晶圆THICKNESS、TTV、BOW、WARP和LTV等外参数并且进行分选的设备。

    24 ¥ 0.00

近紫外测温系统viper405

405nm近紫外测温系统,用于MOCVD工艺薄膜表面温度的测量
近紫外测温系统viper405

l 405测温探头由探测光路,光子计数器,高速计数电路,微处理器控制及电源电路,通讯接口构成

l 探头,控制机箱,运行于PC上的测温软件,构成405测温系统

l 测温范围:650~1300°C

l 噪声:< 1℃ (测量温度>700度时) 

l 带外触发同步功能,可与RT同步工作,实现实时发射率补偿

l 探头体积小:140 x 92 x35mm