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  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

    41 ¥ 0.00
  • F1000晶圆表面颗粒检测设备

    F1000是专门的颗粒检测设备,可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒(Si基PSL wafer)。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。


    16 ¥ 0.00
  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    17 ¥ 0.00
  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    17 ¥ 0.00
  • SPI300 晶圆形貌测量与分选设备

    SPI300 晶圆形貌测量设备是一款专门测量晶圆THICKNESS、TTV、BOW、WARP和LTV等外参数并且进行分选的设备。

    24 ¥ 0.00

F300-EPI GaN

GaN外延片AOI设备采用了自研光学镜头,并且集成了自动聚焦功能,可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像,具有检出率高、误检率低的特点,使用20X点测功能可以采集到更高解析度的缺陷图像(0.1-02μm);荧光激发AOI检测可以检测长晶层的发光缺陷。
EPI

l 适用于蓝宝石基,Si基和SiC基GaN EPI外延片

l 具备AOI、紫外荧光(选配)、缺陷review、 OCR等功能

l 兼容4 inch和6 inch晶圆或者8inch晶圆(采用EFEM)

l 自研光学镜头: FOV ~15.6mm

l 缺陷检测空间分辨率:1.3μm x 1.3μm

l Review复查分辨率: 0.19μm x 0.19μm

l 缺陷检出率 ≥ 98% 

l 缺陷误检率 ≤ 2%

l 缺陷重复性 > 95%

l 镭刻码OCR识别率 ≥ 99.9%(选配)

l 4 inch缺陷产能 ≥130片/小时

l 6 inch缺陷产能 ≥ 80片/小时

l 具备6个分规料盒(Cassette)

l 具备非接触Aligner功能

l 具备自动聚焦功能,可以适应翘曲wafer

l 具备定点自动Review并且采图功能

l 深度学习识别缺陷类别(准确率>98%):亮点、颗粒、圆圈、雾边、刮伤、脏污、微粗等缺陷

l 支持SEMI自动化标准SECS/GEM通讯接口