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  • E3500 SiC 缺陷检测设备

    E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

    41 ¥ 0.00
  • F1000晶圆表面颗粒检测设备

    F1000是专门的颗粒检测设备,可以检测Si、Inp等衬底材料商的Particle。最高可检测到51nm的颗粒(Si基PSL wafer)。支持支持4"、6"、8"或8"、12"晶圆检测。


    16 ¥ 0.00
  • E3200 GaN缺陷检测设备

    E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    17 ¥ 0.00
  • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

    Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


    17 ¥ 0.00
  • SPI300 晶圆形貌测量与分选设备

    SPI300 晶圆形貌测量设备是一款专门测量晶圆THICKNESS、TTV、BOW、WARP和LTV等外参数并且进行分选的设备。

    24 ¥ 0.00

高精度温度校准单元 Cal-2

@Cal-2 可以用于MOCVD设备不开腔温度校准。
cal2-1.

主要技术指标

l 系统由Cal-2集成探头,BNC信号线,24位高精度DAQ单元,USB线连接Laptop构成

l 集成探头则由探测光路,接收PD, 信号放大电路,温度漂移抑制电路,环境温度监测显示电路,锂聚合物电池,充电电路构成 ü探测口径仅4mm,可应用于各种尺寸Viewport 

l 测温范围可定制。量产两种500~1200 °C,650~1750°C

l 稳定性:< 0.05℃

l 重复性:<0.1 °C 

l 体积小:150 x 40 x40mm