中国半导体晶圆技术论坛2018：解析化合物半导体晶圆材料机遇与挑战

SEMIChina

由SEMI中国主办、昂坤视觉承办的“中国半导体晶圆技术论坛2018”于4月19日在历史文化名城、半导体产业热土福建省泉州市举行。福建省泉州市人民政府市委常委、副市长杨晓山出席本次论坛并致辞，论坛由昂坤视觉总经理马铁中博士、兆驰半导体总裁武良文分别主持，来自中外产业界200多名嘉宾出席本次会议。

福建省泉州市人民政府市委常委、副市长杨晓山致辞

本次论坛着重探讨了砷化镓、磷化铟、氮化镓、蓝宝石、碳化硅等化合物半导体行业晶圆材料技术现状与趋势。由于化合物半导体具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。在LED照明、激光、5G通讯、高效功率器件、等发挥着越来越广泛且核心的作用，来自产业链领先企业的专家就各自领域的技术现状、应用趋势与挑战进行了精彩解析。

新傲科技王庆宇博士认为，随着5G时代到来，对手机射频前端模块的要求也越来越高。SOI材料已广泛应用于手机射频前端模块中的射频开关、调制器、射频功率放大器等器件。SOI作为硅基材料，与化合物半导体相比既为竞争又有互补，可以为6GHz以下波段和毫米波的5G移动通讯提供手机射频前端的全方位材料解决方案。 

新傲科技总经理  王庆宇博士

华灿光电副总裁王江波博士介绍了蓝宝石的应用及市场发展趋势、坩埚下降法蓝宝石生长技术、蓝宝石衬底对LED芯片的影响。他认为全球蓝宝石晶棒、衬底和LED外延片主要的产能增加集中在中国、4英寸图形化蓝宝石衬底已经成为LED应用的主流、坩埚下降法蓝宝石生长技术具有设备简单，操作便捷，成品率高，材料利用率高等优势。
 

华灿光电副总裁  王江波博士

瀚天天成总经理冯淦博士发表了《碳化硅大尺寸晶圆及外延材料技术进展》的主题演讲，深入浅出地介绍了碳化硅材料及外延材料得现状，着重介绍了4H-SiC及其外延，以及150 mm碳化硅外延的所面临挑战。
 

瀚天天成总经理  冯淦博士

中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）集成电路研究所高级工程师朱邵歆博士分享了《化合物半导体-我国半导体产业的突破口》。从半导体产业情况和我国的布局、化合物半导体产业情况、我国发展化合物半导体的机遇与挑战。他指出发展化合物半导体领域需要面临市场推荐的困难、国际技术的封锁、基础材料的缺乏、地方投资的盲目、体制机制的约束等五大问题和挑战。
 

中国电子信息产业发展研究院  朱邵歆博士

苏州纳维科技有限公司董事长徐科博士在《氮化镓衬底晶片的研究和产业化进展》的演讲中，具体介绍了GaN单晶材料生长的主要挑战，主要包括进一步降低位错密度、控制应力、增大晶圆尺寸，低应力6英寸技术、电学性能的掺杂调控，n型、p型、半绝缘、本征高纯氮化镓的生长方法和装备及生长物理研究、位错密度的进一步降低、点缺陷的研究。

苏州纳维科技董事长 徐科博士

天科合达副总经理彭同华博士在现场介绍了碳化硅单晶衬底材料及其装备产业化进展。
 

天科合达常务副总经理 彭同华博士

福建北电新材料科技有限公司副总经理张洁博士针对“大尺寸碳化硅晶圆材料制造技术进展”在现场做了详细分享。
 

北电新材料科技副总经理 张洁博士

蓝宝石图形衬底(Patterned Sapphire Substrate, PSS) 用于加强出光的特性已是蓝白光LED不可或缺的衬底结构，其图形的形貌、缺陷的多寡对于外延、芯片的品质影响甚钜。福建晶安光电总经理助理谢斌晖博士在现场做了《蓝宝石图形衬底形貌与缺陷检测方法》的主题分享。
 

晶安光电总经理助理 谢斌晖博士

北京通美晶体技术有限公司总监任殿胜博士在现场分享了《砷化镓及磷化铟晶圆技术介绍》。主要介绍砷化镓以及磷化铟的材料特性，目前应用状况以及发展趋势。

通美晶体  任殿胜博士

GTAT首席技术官P.S.Raghavan博士发表了《宽禁带半导体材料的晶体生长技术》的演讲。
 

美国GTAT公司首席技术官  Dr. P.S.Raghavan

来自产业界的专家和企业资深人士汇聚一堂，在论坛中展开思想碰撞和热烈的互动，共同开拓新的市场机遇，推动技术更上一层楼。